描述: 场效应管,中压MOSFET 类型: 1个N沟道 漏源电压(Vdss): 150V 连续漏极电流(Id): 85A 功率(Pd): 120W

HC8616B 基于高压同步整流架构,采用 PWM 控 制方式的功率开关芯片，集成高压启动电路和 高压功率管，为低成本开关电源系统提供高性 价比的解决方案。 芯片应用于 BUCK 方案，支持 5V 输出电 压，很方便的应用于小家电产品领域。并提供 了过温、过流、过压、欠压等完善的保护功能， 保证了系统的可靠性

HC8615B 是一款非隔离型、高集成度且低成本的PWM 功率开关芯片，适用于降压型和升降压型电路。在全电压 90V~264V 输入的范围内可以保证高精度的 5V 默认输出。芯片设计有轻重载模式，可轻松获得低于 50mw 的待机功耗。 HC8615B 据有完整的保护功能:逐周期电流限制、异常过流保护、过热保护、过载保护和短路保护等，

HC8635 是采用电流模式PWM 控制方式的功率开关芯片，集成高压启动电路和高压功率管，为低成本开关电源系统提供高性价比的解决方案。 芯片应用于 BUCK方案，支持 12V 输出电压，很方便的应用于小家电产品领域。并提供了过温、过流、过压、欠压等完善的保护功能，保证了系统的可靠性。

霍尔传感器芯片 应用：速度和 RPM传 感器，转速表传感器、流量传感器，直流电动机、无刷电机、电机和风扇控制、 机器人控制 ，近距离传感器、位置传感器，安全扣带、引擎盖、后备箱门锁， 天窗/活顶/后挡板 /提升门启动， 刹车/离合器踏板，电动助力转向系统（EPS)， 变速器换挡、刮水器电机、电动自行车等。

1200V JRS040N120L Silicon Carbide Schottky Diode 40A (TC=152°C) 213 nC REACH RoHS HF Features Negligible reverse recovery High-speed switching Positive Temperature Coefficient Temperature-Independent Switching RoHS compliant Benefits Higher frequency Case low heat dissipation requirements Reduce size and cost of the system High-reliability Applications Switch mode power supply Solar...

JRS020N120L SiC Schottky Barrier Rectifier res • Reverse withstand voltage 1200V • Zero reverse recovery current • High working frequency • Switch characteristics are not affected by temperature • Fast switching speed • Positive temperature coefficient of positive pressure drop Application • Switching mode power supply, AC/DC converter • Power factor correction • Motor drive • ...

Datasheet VRRM 1200V JRS015N120L Silicon Carbide Schottky Diode 15A (TC=160°c) 83 nC Features Revolutionary semiconductor material - Silicon RoHS REACH HF Carbide High-speed switching Low leakage current Positive Temperature Coefficient RoHS compliant Benefits Higher frequency Case Low heat dissipation requirements Reduce size and cost of the system High-reliability Applications Pow...